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  Ampleon射頻功率放大器在5G中的獨(dú)特優(yōu)勢 2025-05-07 09:12:45

  Ampleon的射頻功率放大器通過LDMOS/GaN技術(shù)（如GaN高頻高功率特性）實(shí)現(xiàn)5G關(guān)鍵性能，漏極效率達(dá)62%，兼具寬帶操作與高線性度，顯著提升信號質(zhì)量；設(shè)計上采用緊湊封裝與全集成Doherty方案，優(yōu)化空間與能效；應(yīng)用覆蓋700MHz-5.0GHz，支持宏基站、小基站及大規(guī)模MIMO，輸出功率16W擴(kuò)大覆蓋，且引腳兼容性降低開發(fā)成本，全面滿足5G對高性能、高集成與多場景的需求。

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  Solitron Devices SD11714 1200V SiC N溝道功率MOSFET 2025-05-29 09:00:32

  Solitron Devices 公司的 SD11714 是一款 1200V SiC N 溝道功率 MOSFET，采用 TO-257 氣密封裝，具有低導(dǎo)通電阻（160mΩ@25°C）和低柵極電荷，支持 17A 連續(xù)漏極電流和 97W 最大功耗，工作溫度范圍 -55°C 至 +175°C，適用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、PFC 電路等高可靠性應(yīng)用。