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DATEL CMOS閃存A/D轉(zhuǎn)換器

2021-04-01 17:14:27

超高速A/D轉(zhuǎn)換器是信號分析處理操作系統(tǒng)的關(guān)鍵構(gòu)成部分。廣泛運(yùn)用于雷達(dá)探測、高速寬帶數(shù)字接收器和高速硬盤。符合各種性能指標(biāo)要求的超高速A/D轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)方案成為了這類操作系統(tǒng)的重中之重和難點(diǎn)。

IR HiRel DC-DC轉(zhuǎn)換器電源管理IC（PMIC）

2021-03-26 17:06:26

?IR HiRel?為各種各樣應(yīng)用優(yōu)化了高密度的PMIC解決方案，IR HiRel高度集成化的PMIC產(chǎn)品的創(chuàng)新性產(chǎn)品組合為工業(yè)生產(chǎn)和汽車行業(yè)的各種應(yīng)用帶來了可擴(kuò)展和高效的解決方案。檢測、類型、功能安全支持和諸多其它的集成化功能能夠簡單化客戶設(shè)計(jì)構(gòu)思，合理有效地節(jié)省電路板空間。

HOLT IC?航空電子設(shè)備 MIL-STD-1553 耦合變壓器

2021-03-25 17:02:51

耦合變壓器既是無線電線路中常常用來極間耦合的變壓器。比如，無線電的中間過渡期、輸入變壓器和輸出變壓器都?xì)w屬于這一類。耦合變壓器的功能模塊多種多樣，也可用作構(gòu)建阻抗匹配等。MIL-STD-1553使用于HOLT IC?耦合變壓器。與HOLT IC隔離變壓器相互配合使用時(shí)，其比值應(yīng)是1：1.4。

Q-Tech適用于極端溫度和井下應(yīng)用的高溫晶體振蕩器

2021-03-23 16:59:42

Q-Tech?公司為井下應(yīng)用領(lǐng)域提供高溫、最優(yōu)秀的混合晶體振蕩器。產(chǎn)品主要包括標(biāo)準(zhǔn)時(shí)鐘、實(shí)時(shí)時(shí)鐘和音叉頻率時(shí)鐘。

Renesas微控制器和微處理器RL78 低功耗 8 位和 16 位 MCU

2021-03-22 17:10:47

?Renesas?微控制器和微處理器RL788/16位微控制器（MCU）進(jìn)一步提高了電源效率，具備行業(yè)技術(shù)領(lǐng)先的低功耗性能指標(biāo)。正常情況下工作時(shí)功能損耗為45.5μA/MHz，時(shí)鐘工作時(shí)功能損耗為0.57μA/MHz。內(nèi)嵌高精度（±1%）高速片上振蕩器、可重寫100萬次的后臺管理操作數(shù)據(jù)閃存、溫度傳感器和多電源接口端口等功能有利于減少系統(tǒng)生產(chǎn)成本和重量。

ADI晶圓化合物半導(dǎo)體材料

2021-03-18 17:13:47

ADI?晶圓的制取包括襯底制取和外延性工藝。襯底是由半導(dǎo)體材料單晶材料制作而成的晶片。該基板可直接進(jìn)入晶圓制造流程以生產(chǎn)制造半導(dǎo)體元器件或外延性晶圓。外延性是指在單晶襯底上生長一層新單晶的流程。

MICRON DDR3 SDRAM

2021-03-17 17:13:30

MICRON? DDR3 SDRAM在之前的DDR和DDR2 SDRAM上提供額外的傳輸速率。除去優(yōu)質(zhì)的性能指標(biāo)，MICRON DDR3有一個(gè)較低的工作頻率范圍。結(jié)果顯示可能是應(yīng)用領(lǐng)域更高的傳輸速率來執(zhí)行系統(tǒng)，與此同時(shí)消耗相等或更少的系統(tǒng)輸出功率。

DEI BD429 ARINC線路驅(qū)動(dòng)器電路

2021-03-16 17:13:04

DEI? BD429 ARINC線路驅(qū)動(dòng)電路是一種雙極單片集成電路芯片，致力于滿足多種通用航空串行數(shù)據(jù)總線規(guī)范的需求。這些規(guī)范包括差分雙極RZ類型(如ARINC 429、ARINC 571和ARINC 575)和差分NRZ類型(如RS-422規(guī)范)。

TI 德州儀器電流感應(yīng)放大器模擬輸出

2021-03-15 17:14:22

TI 德州儀器電流感測放大器采用獨(dú)特的前端結(jié)構(gòu)，使放大器的輸入電壓超過電源電壓，并帶有集成電阻，提高了精度和穩(wěn)定性。

DATEL采樣保持放大器

2021-03-11 17:08:36

DATEL?采樣保持放大器（sample/hold）也被稱作采樣保持電路。當(dāng)模擬信號轉(zhuǎn)換成為A/D時(shí)，需要相應(yīng)的轉(zhuǎn)換時(shí)長。在此轉(zhuǎn)換時(shí)長內(nèi)，模擬信號應(yīng)保持基本性不變，以保證轉(zhuǎn)換精度。DATEL采樣保持電路是完成這一基本功能的控制電路。DATEL采樣保持放大器適用于信號處理系統(tǒng)、事件分析和許多其它應(yīng)用領(lǐng)域。

IR HiRel線性穩(wěn)壓器（LDO）

2021-03-10 17:06:38

IR HiRel?線性穩(wěn)壓器（LDO）是一種易于使用的電源辦理計(jì)劃，輸出電壓鞏固，靜態(tài)電流低，輸入電壓寬，雜音低，封裝小。

HOLT IC航空電子設(shè)備 MIL-STD-1553 集成終端

2021-03-09 17:03:44

?HOLT IC?最新的MIL-STD-1553系列Mamba TM為客戶提供了世界上最小的解決方案，可選擇用于常見應(yīng)用配置的設(shè)備以節(jié)省成本。HOLT IC提供BC / MT / RT，BC / RT，RT / MT和RT組合。所有設(shè)備都是片上集成收發(fā)器，封裝在48針?biāo)芰螿FP或6毫米x 6毫米QFN中，帶有4線40MHz主機(jī)串行外圍接口（SPI）。

Q-Tech軍用/航空產(chǎn)品的晶體振蕩器

2021-03-05 17:04:27

Q-Tech?公司為通信、無線電、雷達(dá)、導(dǎo)彈和航空電子等商業(yè)和高度可靠的軍事應(yīng)用提供最先進(jìn)的混合晶體振蕩器。Q-Tech提供完整的美國振蕩器和晶體制造能力。所有的Q-Tech產(chǎn)品在設(shè)計(jì)、質(zhì)量、準(zhǔn)時(shí)交貨和一流的客戶服務(wù)方面都達(dá)到了Q-Tech的最高標(biāo)準(zhǔn)。Q-Tech致力于為客戶提供領(lǐng)先的頻率控制解決方案。

Renesas RE Cortex-M 超低功耗SOTB MCU

2021-03-03 17:17:18

Renesas? RE Cortex-M超低功耗SOTBMCU使用ARM Cortex M核，該核心基于世界上最高的基于硅薄氧化物埋層(SOTB)工業(yè)技術(shù)的超低功耗MCU。在EEMBC ULPMark基準(zhǔn)中，ULPMark-CP評分非常高，達(dá)到705。

ADI晶圓半導(dǎo)體市場份額

2021-03-02 17:07:09

ADI又稱亞德諾半導(dǎo)體，是全世界設(shè)計(jì)，生產(chǎn)制造和銷售高性能模擬，混合信號和數(shù)字信號處理（DSP ）集成電路集成電路（IC ）的領(lǐng)先企業(yè)。ADI擁有世界上最好的模擬芯片技術(shù)和廣泛的芯片設(shè)計(jì)專利。其晶圓產(chǎn)品通常采用高可靠性的產(chǎn)品包裝。

MICRON DDR4 SDRAM

2021-03-01 17:10:53

MICROND? DR4S DRAM是一種高帶寬電子計(jì)算機(jī)儲存器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。它隸屬于SDRAM系列儲存器產(chǎn)品，提供比DDR3 SDRAM更強(qiáng)的性能指標(biāo)和更低的電流電壓，是全新的儲存器標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。

DEI分立于數(shù)字接口IC

2021-02-25 17:15:12

?DEI?為航空電子和工業(yè)市場提供30多個(gè)離散數(shù)字接口IC。這些機(jī)器設(shè)備承受六個(gè)或八個(gè)并行處理輸入。一些型號規(guī)格將并行處理輸入轉(zhuǎn)換為SPI串行數(shù)據(jù)流，并滿足ABD0100H（空中客車指令）。全系列離散到數(shù)字產(chǎn)品包括do-160d防雷保護(hù)，以確保系統(tǒng)壽命。

TI德州儀表放大器

2021-02-24 17:12:08

TI德州儀表?放大器將高精密信號調(diào)整提升到一個(gè)新的技術(shù)水平，集成化電阻網(wǎng)絡(luò)能夠最大限度地提升精密度和空間工作效率。

DATEL多通道數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)

2021-02-23 17:12:29

DATEL多通道數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)具備用途廣泛，性能全面、多通道差分或單端選擇、MIL-STD-883濾波可靠性高等特點(diǎn)。

IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管

2021-02-22 17:15:14

?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導(dǎo)體器件的研究熱點(diǎn)。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關(guān)。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率，降低了系統(tǒng)的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。